[发明专利]一种制造使用硫属元素化物存储器的方法

摘要

一种硫属元素化物存储器单元，包含下电极、硫属元素化物层及上电极。所述下电极包含锥形洞。硫属元素化物层在下电极的锥形洞中形成。硫属元素化物层的一边与下电极相邻。上电极在硫属元素化物层所形成的第二洞中形成，使得上电极基本上填充第二洞。上电极与硫属元素化物层的另一边相邻。通过使电流通过上电极及下电极来储存及取出资料。通过非等向性蚀刻或通过侧壁应用以形成下电极中的锥形洞。使用额外的介电层或通过使用额外导电层与下所述电极形成p－n接面，以缩小电流流过的截面积。

主权项

1.一种硫属元素化物的存储器单元，其包含：包含锥形洞的低电极，该锥形洞逐渐收敛至基本上单点的侧壁；硫属元素化物层，在所述低电极的锥形洞中形成，且所述硫属元素化物层的第一边与低电极相邻；以及高电极，在所述硫属元素化物层所形成的第二洞中形成，使得该高电极基本上填充所述的第二洞，且所述高电极与硫属元素化物层的第二边相邻。