[发明专利]半导体结构及其制作方法无效
| 申请号： | 200610101154.5 | 申请日： | 2006-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN101101894A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | 饶瑞孟;郭建利;陈慧玲;陈宝娟 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体结构，此半导体结构位于晶片的切割道区的基底上。此半导体结构包括一第一介电层、一第一测试焊垫以及一保护层。第一介电层配置于基底上。第一测试焊垫配置于第一介电层上。保护层配置于第一介电层上且位于第一测试焊垫周围，其中保护层与第一测试焊垫的相对二侧之间分别具有一个沟槽，且沟槽至少位于第一测试焊垫与切割道区的边界之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，位于晶片的切割道区的基底上，该半导体结构包括：第一介电层，配置于该基底上；第一测试焊垫，配置于该第一介电层上；以及保护层，配置于该第一介电层上且位于该第一测试焊垫周围，其中该保护层与该第一测试焊垫的相对二侧之间分别具有沟槽，且该沟槽至少位于该第一测试焊垫与该切割道区的边界之间。
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