[发明专利]一种制造薄膜晶体管和电子器件的方法

摘要

一种多室系统，在半导体器件如半导体集成电路的制造中，提供一种高清洁度的处理。该系统包括多个真空设备(如膜形成设备、腐蚀设备、热处理设备和预备室)，用于制造半导体器件。这些真空设备中至少一个是采用激光的。

主权项

1.一种用于对半导体进行处理的装置，包括：第一真空室；离子引入装置，用于利用掺杂物经绝缘膜掺杂在基片上形成的半导体层，该绝缘膜包括在所述半导体层上提供的氧化物；蚀刻装置，用于蚀刻包括氧化物的所述绝缘膜，以暴露所述半导体层的表面，所述蚀刻装置经所述第一真空室连接到所述离子引入装置；第二真空室；激光处理装置，包括激光处理室和激光器，用于在所述蚀刻后，在所述激光处理室中利用激光照射所述半导体层的暴露表面，所述激光处理室经所述第二真空室连接到所述蚀刻装置；和机械装置，用于在不将所述基片暴露在空气中的情况下，将所述基片从所述离子引入装置运送到所述激光处理室；所述掺杂物作为围绕所述离子引入装置的栅极的等离子，且由加在所述离子引入装置的阳极电极的电压朝向所述半导体层加速。