[发明专利]高电压静电放电防护装置及其制作方法有效
申请号: | 200610101383.7 | 申请日: | 2006-07-18 |
公开(公告)号: | CN1901192A | 公开(公告)日: | 2007-01-24 |
发明(设计)人: | 余定政;郑道;邱兆志 | 申请(专利权)人: | 联发科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/60;H01L21/822;H05F3/02 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 田野 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明为一种高电压静电放电防护装置及其制作方法,是以跨接于连接内电路的输入端与接地端,并相互并联设置PNP晶体管与二极管等静电放电防护组件形成一静电放电路径,达到高电压静电放电防护的目的。该PNP型晶体管为相邻的重掺杂的P型半导体区(P+)、轻掺杂的N型半导体区(N-)与P型基板(P-sub)结构;该二极管为低掺杂浓度的N型半导体区与低掺杂浓度的P型半导体区相邻的结构。 | ||
搜索关键词: | 电压 静电 放电 防护 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种高电压静电放电防护装置,是由一输入端到一接地端提供一静电放电路径,该装置包括:一基板;一PNP型晶体管,形成于该基板,该PNP型晶体管具有一发射极,一基极及一集电极,其中该PNP型晶体管的发射极为一信号输入端,耦接于该装置的输入端,该PNP型晶体管的集电极耦接于该装置的接地端;以及一二极管,形成于该基板,该二极管具有一P型传导端及一N型传导端,其中该二极管的P型传导端耦接该装置的接地端,该二极管的N型传导端耦接该装置的输入端,且该二极管上形成一自我对准金属硅化结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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