[发明专利]高电压静电放电防护装置及其制作方法有效

专利信息
申请号: 200610101383.7 申请日: 2006-07-18
公开(公告)号: CN1901192A 公开(公告)日: 2007-01-24
发明(设计)人: 余定政;郑道;邱兆志 申请(专利权)人: 联发科技股份有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L23/60;H01L21/822;H05F3/02
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 田野
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明为一种高电压静电放电防护装置及其制作方法,是以跨接于连接内电路的输入端与接地端,并相互并联设置PNP晶体管与二极管等静电放电防护组件形成一静电放电路径,达到高电压静电放电防护的目的。该PNP型晶体管为相邻的重掺杂的P型半导体区(P+)、轻掺杂的N型半导体区(N-)与P型基板(P-sub)结构;该二极管为低掺杂浓度的N型半导体区与低掺杂浓度的P型半导体区相邻的结构。
搜索关键词: 电压 静电 放电 防护 装置 及其 制作方法
【主权项】:
1.一种高电压静电放电防护装置,是由一输入端到一接地端提供一静电放电路径,该装置包括:一基板;一PNP型晶体管,形成于该基板,该PNP型晶体管具有一发射极,一基极及一集电极,其中该PNP型晶体管的发射极为一信号输入端,耦接于该装置的输入端,该PNP型晶体管的集电极耦接于该装置的接地端;以及一二极管,形成于该基板,该二极管具有一P型传导端及一N型传导端,其中该二极管的P型传导端耦接该装置的接地端,该二极管的N型传导端耦接该装置的输入端,且该二极管上形成一自我对准金属硅化结构。
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