[发明专利]具有槽型结构的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610101404.5 | 申请日： | 1998-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN1881612A | 公开（公告）日： | 2006-12-20 |
| 发明（设计）人： | 中村胜光 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/49;H01L21/331;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 陈景峻 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在具有槽型MOS栅结构的MOS栅功率器件等的半导体器件中，使槽内壁上形成的栅氧化膜的特性得到改善。形成从槽的内表面延伸到沿所述半导体衬底的主面的外表面的绝缘膜，同时形成从槽的内部突出并延伸到沿所述半导体衬底的主面的外表面的栅。此外，从槽的开口部到外表面将栅氧化膜形成得较厚，在槽的开口部处将栅作成剖面收缩的形状。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 结构 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有槽型结构的半导体器件，其特征在于，具有：已形成于半导体衬底的主面上的槽；至少已形成于所述槽的内表面上的绝缘膜；和至少形成于所述槽的内部并注入了氮的导电部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社，未经三菱电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610101404.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有槽型结构的半导体器件及其制造方法
- 下一篇：卫星广播系统
- 同类专利
- 专利分类
