[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610101442.0 | 申请日： | 2006-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN1897241A | 公开（公告）日： | 2007-01-17 |
| 发明（设计）人： | 菊池卓;金本光一;杉山道昭;川洼浩 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/498;H01L23/12 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造半导体器件的方法。通过准备具有多个NSMD结构焊盘和连接到每个焊盘并且相互间以180°对称的位置而布置的引出布线和虚布线的封装衬底，以及在封装装配之后通过印制方法将焊剂印制到焊盘上，可以减少焊盘之间焊剂涂层的高度差异，以及可以改进LGA(半导体器件)的可安装性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)准备布线衬底，所述布线衬底具有主表面、与所述主表面相对的背表面、形成在所述背表面上方的绝缘膜、形成在所述背表面上方并且其边缘部分暴露到所述绝缘膜的开口的多个焊盘、连接到每个所述焊盘并且相互间以180°对称的位置布置的第一布线和第二布线；(b)将半导体芯片安装到所述布线衬底的所述主表面上方；(c)电连接所述半导体芯片和所述布线衬底；(d)密封所述半导体芯片；以及(e)通过印制方法将焊剂印制到所述焊盘上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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