[发明专利]过孔底接触及其制造方法无效
| 申请号： | 200610101503.3 | 申请日： | 2006-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN1913125A | 公开（公告）日： | 2007-02-14 |
| 发明（设计）人： | A·P·考利;L·A·克莱文格;杨智超;K·占达;J·P·吉尔;李保振 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;刘瑞东 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种制造器件的方法包括在衬底和布线层中形成的蚀刻沟槽中沉积电迁移(EM)阻抗材料。形成与下面的扩散阻挡层和布线层电接触的EM阻抗材料。该方法还包括形成与EM阻抗材料和布线层电接触的过孔结构。该方法产生防止断路的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造器件的方法，包括以下步骤：在衬底和布线层中形成的蚀刻沟槽中沉积电迁移(EM)阻抗材料，所述EM阻抗材料与下面的扩散阻挡层和所述布线层电接触；以及形成与所述EM阻抗材料和所述布线层电接触的过孔结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
