[发明专利]垂直磁记录媒质及其制造方法无效
| 申请号： | 200610101511.8 | 申请日： | 2006-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN1897119A | 公开（公告）日： | 2007-01-17 |
| 发明（设计）人： | 林志庆;朴鲁烈;金庸洙;吴薰翔 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66;G11B5/667;G11B5/738 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种垂直磁记录媒质。所述垂直磁记录媒质包括：下部结构；以及形成于所述下部结构上的记录层，其中，所述记录层具有0.5或更低的平衡力2πMr2/K1以及0.8或更低的因子4πMr/Hc，其中，Mr表示残余磁化强度，K1表示垂直磁各向异性能量常数，Hc表示矫顽力。因此，即使构成记录层的晶粒之间的晶粒边界在宽度上有些不均匀，所述晶粒也能够具有几乎相同的成核场。因此，所述垂直磁记录媒质能够确保高记录密度和所记录信息的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 记录 媒质 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种垂直磁记录媒质，包括：下部结构；以及在所述下部结构上形成的记录层，其中，所述记录层具有0.5或更低的平衡力2πMr2/K1以及0.8或更低的因子4πMr/Hc，其中Mr表示单位为emu/cm3的残余磁化强度，K1表示单位为erg/cm3的垂直磁各向异性能量常数，Hc表示单位为奥斯特的矫顽力。
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