[发明专利]半导体存储装置及其制造方法

摘要

本发明提供能够防止因在半导体存储装置的制造工序中产生的UV光引起的Vt变动、且可靠性高的半导体存储装置及其制造方法。在存储器单元(100)上形成层间绝缘膜(106)，在该层间绝缘膜中形成与位线(102)相连的位线接触柱(109)，所述存储器单元包括：由形成在半导体基板(101)的扩散层构成的位线(102)、在位线(102)之间形成的捕获性栅极绝缘膜、在栅极绝缘膜上形成的字线(104)。并且，在层间绝缘膜上的至少覆盖存储器单元(100)的区域形成遮光膜(105)，该遮光膜(105)的一部分在位线接触柱(109)的附近，形成为从层间绝缘膜(106)的表面进一步向膜中延伸。

主权项

1、一种半导体存储装置，包括存储器单元，所述存储单元包括：由形成在半导体基板的扩散层构成的多根位线、在相邻的所述位线之间形成的捕获性栅极绝缘膜和在该栅极绝缘膜上形成的字线，在所述存储器单元上形成有层间绝缘膜；在所述层间绝缘膜中形成有与所述位线相连的位线接触柱；在所述层间绝缘膜的至少覆盖所述存储器单元的区域形成有遮光膜；形成在所述层间绝缘膜上的遮光膜的一部分在所述位线接触柱的附近，形成为从所述层间绝缘膜的表面向该膜中进一步延伸。