[发明专利]钌合金磁介质和溅射靶

摘要

本发明提供一种具有包括钌(Ru)和成合金元素的底层的磁性记录介质。当成合金元素在HCP Ru相中具有很小的固溶度或没有固溶度并且以超过该溶解度的量存在时，成合金元素可用于晶粒细化。当成合金元素在HCP Ru相中具有一定的固溶度并且以不超过该溶解度的量存在时，成合金元素可用于减少晶格错配。当成合金元素在HCP Ru相中具有一定的固溶度并且以超过该溶解度的量存在时，成合金元素可以同时用于晶粒细化和减少晶格错配。或者底层可以包括钌和两种成合金元素，一种用于晶粒细化，另一种用于减少晶格错配。本发明还提供了一种包括钌和成合金元素的溅射靶。

主权项

1.一种磁性记录介质，其包含：包括钌(Ru)和成合金元素的第一层，成合金元素，其选自由硼(B)、铝(Al)、硅(Si)、锰(Mn)、锗(Ge)、硒(Se)、锆(Zr)、银(Ag)、锡(Sn)、镱(Yb)、镥(Lu)、铪(Hf)、锇(Os)、金(Au)、铋(Bi)和铊(Th)组成的组，成合金元素在第一层中以超过成合金元素在室温或高于室温下在密排六方(HCP)钌(Ru)相中固溶度极限的量存在。