[发明专利]用于对多位电荷俘获存储单元阵列编程的方法

摘要

编程电压被施加到源极和漏极，以便在存储单元的沟道的一端处产生热空穴注入。通过将中间抑制电压施加到邻近的位线来避免不期望的对相邻存储单元的编程。这通过将所有位线预充电到抑制电压来完成，即或者通过接连地将抑制电压单独施加到每条位线、或者通过将较高和较低编程电压都施加到一半位线并然后短路所有位线以产生中间电压来完成。

主权项

1.一种对多位电荷俘获存储单元阵列中的存储单元进行编程的方法，该方法包括：设置被布置成行和列的电荷俘获存储单元的阵列，该阵列包括沿所述列的方向延伸的多条位线，每个存储单元具有被耦合到所述位线之一的第一源极/漏极和被耦合到所述位线中的邻近的位线的第二源极/漏极，以致位于存储单元的两个邻近列之间的每个源/漏区通过位线被耦合，这些位线被布置成位线组，每一组包括接连被布置在一部分内的每隔一条位线；将抑制电压施加到该部分中没有被耦合到将要被编程的存储单元的至少每条位线；以及在施加抑制电压之后，将较低编程电压施加到将要被编程的存储单元的第一源漏区以及将较高编程电压施加到将要被编程的存储单元。