[发明专利]具有发光变换元件的发光半导体器件有效
| 申请号： | 200610101650.0 | 申请日： | 1997-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN1913183A | 公开（公告）日： | 2007-02-14 |
| 发明（设计）人： | U·雷;K·赫恩;N·斯塔施;G·韦特;P·施洛特;R·施米特;J·施奈德 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王忠忠 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 发光半导体元件，具有发射射线的半导体主体(1)和一个发光变换元件(4，5)。半导体本体(1)发射光谱段在紫外、蓝和/或绿段的射线，发光变换元件(4，5)将这种射线的一部分变换成波长较长的射线。从而能够通过一个单个的发光半导体主体，将原来发射混合色的发光二极管制成专门发射白光的发光二极管。特别推荐将YAG:Ce作为发光变换染料之用。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 发光 变换 元件 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.发光半导体主体，包括：半导体多层结构，其适合于发射从由紫外、蓝和绿色构成的光谱段中选择的第一波长段的电磁辐射；发光变换层，含有至少一个基于掺有稀土元素的石榴石、掺有稀土元素的硫代没食子酸盐、掺有稀土元素的碱土金属硫化物、掺有稀土元素的正硅酸盐或掺有稀土元素的铝酸盐的发光材料，所述发光变换层被应用到所述半导体主体的表面，以及所述发光变换层能透过第一波长段的射线的一部分，并且将源自第一波长段的射线的另一部分变换成与第一波长段不同的第二波长段的射线，从而使该半导体主体发射包括第一波长段的射线和第二波长段的射线的混合射线。
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