[发明专利]薄膜半导体、半导体器件以及薄膜晶体管的制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件，包括：在衬底上形成的薄膜晶体管，包括一个源区、一个漏区、形成在所述源区和漏区之间的沟道区、形成在所述沟道区上的栅电极，在所述栅电极和所述沟道区之间有一个栅绝缘膜；形成在所述薄膜晶体管上的层间绝缘膜；形成在所述层间绝缘膜上的源极布线、漏极布线、栅极布线；其中所述源区、漏区和栅电极中的每一个包括一个硅化物膜；其中所述源极布线、漏极布线和栅极布线分别被连接到所述源区的硅化物膜、所述漏区的硅化物膜和所述栅电极的硅化物膜。本发明还涉及包括上述半导体器件的便携式电话和照相机。

主权项

1.一种制造薄膜晶体管的方法，包括以下步骤：在衬底以上形成至少一个凸起部分或凹下部分；在所述衬底以上形成非晶半导体膜；将所述非晶半导体膜结晶为晶体半导体膜；形成与所述晶体半导体膜接触的栅绝缘膜；形成与所述晶体半导体膜相邻的栅电极，所述栅绝缘膜位于所述栅电极和所述晶体半导体膜之间；其中使所述非晶半导体膜结晶的步骤在所述凸起部分或凹下部分开始。