[发明专利]包括集成激光器和集成调制器的光电设备及相关制作方法有效
| 申请号： | 200610101772.X | 申请日： | 2006-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN1893209A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 米夏埃尔·勒帕莱克;克里斯托夫·卡兹米耶斯基 | 申请（专利权）人： | 阿尔卡特公司 |
| 主分类号： | H01S5/32 | 分类号： | H01S5/32;H01S5/026;H01S5/323;H01S5/00;H04B10/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明的领域是包括激光发射部分和用于对激光器发射的光功率进行调制的部分的集成光发射设备，也被称为ILM，代表集成激光调制器的缩写。本发明目的在于一种ILM设备，包括以P.I.N类型的通用结构制作的激光器部分(1)和调制部分(2)，所述结构相继包括由n掺杂的半导体材料制作的衬底(10)、埋置的有源区(11)、p掺杂的垂直限制层(16)以及半绝缘横向限制层(15)，属于激光器部分的该结构的部分包括置于所述半绝缘横向限制层和所述垂直限制层之间的由n掺杂的半导体材料制作的阻隔层(17)，用于减少所述层之间存在的泄漏电流。由此改进了最终设备的性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 集成 激光器 调制器 光电 设备 相关 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有激光器和集成调制器类型的光电设备，包括以P.I.N类型的通用结构制作的激光器部分(1)和调制部分(2)，所述结构相继包括由n掺杂的半导体材料制作的衬底(10)、埋置的有源区(11)、p掺杂的垂直限制层(16)，所述有源区的侧面由掺杂的半导体材料制作的半绝缘横向限制层(15)包围，其特征在于，所述结构中属于所述激光器部分的部分包括置于所述半绝缘横向限制层(15)和所述垂直限制层(16)之间的限制在所述激光器部分的阻隔层(17)，该阻隔层(17)由n掺杂的半导体材料制作。
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