[发明专利]半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610101777.2 | 申请日： | 2006-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN1897374A | 公开（公告）日： | 2007-01-17 |
| 发明（设计）人： | 橘浩一;斋藤真司;布上真也 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01S5/16 | 分类号： | H01S5/16;H01S5/10;H01S5/30;H01S5/323;H01S5/00;G11B7/125 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 段承恩;杨光军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种可靠性高的半导体元件。该半导体元件包括，衬底；多层膜，所述多层膜具有设置于衬底上的第1导电型覆层、设置于第1导电型覆层上的第1导电型导层、设置于第1导电型导层上的有源层、设置于有源层上的第2导电型导层、设置于第2导电型导层上的第2导电型覆层，并且上述层分别由氮化物系III－V族化合物半导体构成；设置于有源层的射出面上的、由氮化物构成的第1保护层；设置于上述第1保护层上的、由折射率与第1保护层不同的氮化物构成的第2保护层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种激光二极管，其特征在于包括，衬底；多层膜，该多层膜具有设置于上述衬底上的第1导电型覆层、设置于上述第1导电型覆层上的第1导电型导层、设置于上述第1导电型导层上的有源层、设置于上述有源层上的第2导电型导层、和设置于上述第2导电型导层上的第2导电型覆层，并且上述各层的每一层均由氮化物系III-V族化合物半导体构成；设置于上述有源层的射出面上的、由氮化物构成的第1保护层；设置于上述第1保护层上的、由与上述第1保护层折射率不同的氮化物构成的第2保护层。
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