[发明专利]半导体器件及其形成方法无效
| 申请号： | 200610101842.1 | 申请日： | 1993-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN1937255A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;张宏勇;竹村保彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 薄膜半导体器件，例如TFT及其制造方法。TFT形成在绝缘衬底上。在该衬底上先形成基本上为非晶半导体涂层。再在该涂层上形成对激光辐射透明的保护涂层。用激光辐射照射该叠层，以改善半导体涂层的结晶度。然后，除去保护涂层使半导体涂层的表面露出。形成栅绝缘膜的涂层，随后形成栅电极。还涉及在绝缘衬底上制造半导体器件，例如TFT。形成主要由氮化铝组成第1涂层后，再形成主要由氧化硅组成的第2涂层。其上可制作半导器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种有源矩阵显示器件，包括：衬底；包括氧化硅的第一绝缘膜；包括氮化铝的、在第一绝缘膜上形成的第二绝缘膜；包括氧化硅的、在第二绝缘膜上形成的第三绝缘膜；在第三绝缘膜上形成的半导体膜；在半导体膜上形成的栅绝缘膜；以及在栅绝缘膜上形成的栅电极。
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