[发明专利]发光二极管用外延片和发光二极管无效
| 申请号： | 200610101877.5 | 申请日： | 2006-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN1941435A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | 加古学;谷毅彦 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐江华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及在外延成长后不追加工序而提供高成品率、高光取出效率的发光二极管用外延片和发光二极管。对于该发光二极管用外延片，在n型GaAs衬底2上，通过MOVPE法依次成长n型AlGaInP包覆层3、AlGaInP活性层4和p型AlGaInP包覆层5，在p型AlGaInP包覆层5上，通过MOVPE成长以Mg为掺杂剂的p型GaP电流扩散层6，通过使p型GaP电流扩散层6的表面粗糙化，从而提高了光取出效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 二极 管用 外延 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管用外延片，其特征在于，具有形成于n型衬底上、由n型和p型包覆层夹持活性层而构成的发光部以及形成于所述发光部上的p型GaP电流扩散层，并且通过掺杂Mg，所述p型GaP电流扩散层表面的均方根粗糙度Rms为15nm～5μm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日立电线株式会社，未经日立电线株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610101877.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
