[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置

摘要

本发明提供无需特殊的制造装置，而抑制制造时的结晶缺陷的产生的具有DSOI晶体管的半导体装置的制造方法以及半导体装置。首先，在Si基板(1)上形成SiGe层(3)，并对SiGe层(3)中的源极形成区域和漏极形成区域所夹持的部分进行蚀刻并去除，形成沟。接着，按照埋入该沟且覆盖SiGe层(3)上的方式，在Si基板(1)上形成Si层(10)。并且，通过依次对位于晶体管形成区域的外侧的Si层(10)和位于该外侧的SiGe层(3)进行蚀刻并去除，沿晶体管形成区域的周围露出SiGe层(3)的侧面。其后，通过从该露出的侧面对SiGe层(3)进行蚀刻并去除，而在晶体管形成区域Si层(10)下面形成空洞部(15)，在该空洞部(15)内形成SiO₂膜(17)。

主权项

1、一种半导体装置的制造方法，包括：在晶体管形成区域的半导体基板上形成第一半导体层的工序；通过对所述第一半导体层中的源极形成区域与漏极形成区域所夹持的部分进行蚀刻并去除，从而在该第一半导体层上形成使所述半导体基板的表面露出的槽部的工序；按照填埋所述槽部内并覆盖所述第一半导体层上的方式，在所述晶体管形成区域的所述半导体基板上形成第二半导体层的工序，其中所述第二半导体层的蚀刻的选择比小于所述第一半导体层；通过从所述晶体管形成区域的外侧蚀刻并去除所述第二半导体层下的所述第一半导体层，在所述第二半导体层下形成空洞部的工序；和在所述空洞部内形成填埋氧化膜的工序。