[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200610101956.6 | 申请日： | 2006-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN1897308A | 公开（公告）日： | 2007-01-17 |
| 发明（设计）人： | 原寿树 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/84 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够降低自发热效应，也能解除基板悬浮效应的半导体装置及其制造方法。所述半导体装置的特征在于，具有SDON晶体管(100)，其包括在Si基板(1)上的Si层(10)上介由栅极氧化膜(21)形成的栅极电极(23)、夹持栅极电极(23)而在Si层(10)上形成的源极层(27a)以及漏极层(27b)，在源极层(27a)与Si基板(1)之间以及漏极层(27b)与Si基板(1)之间分别存在空洞部(15)，且在栅极电极(23)下面的Si层(10)与Si基板(1)之间不存在空洞部(15)。由于栅极电极(23)下面的Si层(10)与Si基板(1)连接，因此与SON晶体管相比，能够降低自发热效应。此外，由于体电位固定在Si基板(1)上，因此能够解除基板悬浮效应。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，具有晶体管，该晶体管包括：介由栅极绝缘膜在半导体基板上的半导体层上形成的栅极电极；夹持所述栅极电极而在所述半导体层上形成的源极层以及漏极层，在所述源极层与所述半导体基板之间以及在所述漏极层与所述半导体基板之间分别存在空洞部，且在所述栅极电极下面的所述半导体层与所述半导体基板之间不存在所述空洞部。
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