[发明专利]用于制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200610101962.1 | 申请日： | 2006-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN101026095A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 金承范;南基元 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种用于制造半导体器件的方法包括形成用于涂覆单元区域的键开口掩模，以移除在栅极形成工艺中在重叠光标尺区域之上形成的栅极多晶硅层，并且在调节蚀刻工艺时移除该重叠光标尺区域的栅极多晶硅层，使得该重叠光标尺区域具有优异的形状。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件的方法，该方法包括：蚀刻半导体衬底以形成凹形栅极区域以及重叠光标尺；在该半导体衬底的该凹形栅极区域以及该重叠光标尺之上形成栅极氧化膜；形成填入该凹形栅极区域以及该重叠光标尺的多晶硅层；移除形成在该重叠光标尺之上的多晶硅层的第一部分，其中设置在该凹形栅极区域之上的多晶硅层的第二部分余留在该凹形栅极区域之上；在该重叠光标尺以及设置在该凹形栅极区域之上的多晶硅层的第二部分之上沉积栅极导电层；以及利用该重叠光标尺来对准栅极掩模以蚀刻该栅极导电层以形成栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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