[发明专利]有源矩阵基片、显示装置及制造有源矩阵基片的方法

摘要

所公开的是一种有源矩阵基片，通过把栅绝缘膜和ITO膜沉积在导线上使该基片能防止引出线腐蚀等问题，而又不增加图案形成过程的次数，提高制造过程的生产量及可靠性。本发明包括源极和漏极，它们沉积在绝缘基片上并彼此分开一个预先确定的间隙；沉积在源极和漏极上的a－Si层；沉积在a－Si层上的栅绝缘膜；沉积在栅绝缘膜上的栅极；以及具有第1和第2部分的ITO膜，这第1部分覆盖在栅极上，其图案与栅极图案基本相同，这第2部分沉积在或者是源极或者是漏极上并构成像素电极；以及与漏极相连的数据线，它由栅绝缘膜覆盖，从而使a－Si膜介入这二者之间。

主权项

1.一种制造有源矩阵基片的方法，包含如下步骤：在绝缘基片上形成栅极图案；在所述栅极上顺序沉积栅绝缘膜和半导体层，然后形成金属膜；在考虑要形成图案的所述金属膜的图案和考虑像素电极图案的情况下，沉积-ITO膜；使用所述ITO膜作为掩膜对所述ITO膜形成图案，从而形成源极和漏极。