[发明专利]存储器件和半导体器件无效
| 申请号： | 200610103086.6 | 申请日： | 2006-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN1892902A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 长尾一;八野英生;森宽伸;福本智惠子 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34;G11C11/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄小临;王志森 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种存储器件，它包括存储元件、电路元件和写入控制部件。所述存储单元具有下述特性：所述特性表现出由于施加至少等于第一门限信号的电信号，电阻从大值改变到小值，而由于施加至少等于第二门限信号的电信号，电阻从小值改变到大值，所述第二门限信号具有与第一门限信号相反的极性。所述电路元件与所述存储元件串联。所述写入控制部件被配置成执行第一写入操作，检测在第n写入操作后由存储元件表现出的电阻，其中n大于等于1，将所检测到的电阻与所述设置值相比较，并且执行第(n+1)写入操作。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种存储器件，包括：存储元件，其具有下述特性：所述特性表现出，由于施加至少等于第一门限信号的电信号，电阻从大值改变到小值，而由于施加至少等于第二门限信号的电信号，电阻从小值改变到大值，所述第二门限信号具有与第一门限信号相反的极性；与所述存储元件串联的电路元件；写入控制部件，其被配置成执行第一写入操作以便试图将所述存储元件设置到比预先确定的设置值大的电阻，检测在第n写入操作后由所述存储元件表现出的电阻，其中n大于等于1，将所检测到的电阻与所述设置值相比较，并且如果比较结果指示在所述第n写入操作后由所述存储元件表现出的所述电阻仍然大于所述设置值，则执行第(n+1)写入操作。
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