[发明专利]半导体摄像装置及其制造方法无效
申请号: | 200610103157.2 | 申请日: | 2006-07-06 |
公开(公告)号: | CN1909237A | 公开(公告)日: | 2007-02-07 |
发明(设计)人: | 南尾匡纪;福田敏行 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L23/482;H01L23/31;H01L21/82 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开了一种半导体摄像装置及其制造方法。半导体摄像装置,包括:具有摄像区域(14)、周围电路区域(16)及电极区域(18)的半导体摄像元件(10),设置在电极端子(20)上、用来与外部电连接的柱状电极(22),以及设置在半导体摄像元件(10)的上表面上的透明树脂层(24)。柱状电极(22)的上表面和透明树脂层(24)的上表面一样高。因此,能提供一种小型且薄型的、已设法除去炫光和拖尾等光学性噪声的半导体摄像装置及其制造方法。 | ||
搜索关键词: | 半导体 摄像 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体摄像装置,连接在外部机器上而被使用,包括:具有检测光的摄像区域、周围电路区域及形成有电极端子的电极区域的半导体摄像元件,和形成在所述半导体摄像元件的电路形成面上的透明树脂层,其特征在于:还包括柱状电极,设置在所述电极端子上,具有位于与所述透明树脂层的上表面同一平面内的上表面,用来连接在所述外部机器上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的