[发明专利]半导体存储器器件及其驱动方法

摘要

本发明提供一种半导体存储器器件及其驱动方法。半导体存储器器件包括：半导体衬底，其包括第一绝缘膜上的半导体层；存储器单元，其包括在半导体层中形成的源极和漏极以及设在源极和漏极之间的浮体区，该存储器单元根据在浮体区中累积的电荷量来存储数据；设在存储器单元的浮体区上的第二绝缘膜；设在第二绝缘膜上的字线；与所述漏极相连的位线；与所述源极相连的源极线；和通过第一绝缘膜与浮体区电绝缘的平板电极，其中在用于向存储器单元写数据的时段的至少一部分中，改变平板电极的电势以减小存储器单元的阈值电压的绝对值。

主权项

1.一种半导体存储器器件，包括：半导体衬底，其包括第一绝缘膜上的半导体层；存储器单元，其包括在所述半导体层中形成的源极、在所述半导体层中形成的漏极以及设在所述源极和所述漏极之间的浮体区，该存储器单元根据在所述浮体区中累积的电荷量来存储数据；设在所述存储器单元的浮体区上的第二绝缘膜；设在所述第二绝缘膜上的字线；与所述漏极相连的位线；与所述源极相连的源极线；和通过所述第一绝缘膜与所述浮体区电绝缘的平板电极，其中在用于向所述存储器单元写数据的时段的至少一部分中，改变所述平板电极的电势，以减小所述存储器单元的阈值电压的绝对值。