[发明专利]半导体器件的器件隔离结构及其形成方法无效
| 申请号： | 200610103586.X | 申请日： | 2006-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN1905186A | 公开（公告）日： | 2007-01-31 |
| 发明（设计）人： | 丁明镇 | 申请（专利权）人： | 东部电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00;H01L27/04;H01L21/822;H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾晋伟;刘继富 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种隔离结构及其形成方法。本发明隔离结构包括：衬底，其包括具有第一晶格参数的第一半导体层、具有大于第一晶格参数的第二晶格参数的第二半导体层、以及应变半导体层；在衬底中的注入有第一导电型杂质的阱；多个隔离层，形成在应变半导体层和第二半导体层中，每个隔离层以预定距离彼此分离，由此限定有源区；和多个穿通停止层，注入有第二导电型的杂质，每个穿通停止层形成在每个隔离层之下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 器件 隔离 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的隔离结构，包括：衬底，包括具有第一晶格参数的第一半导体层、具有比所述第一晶格参数大的第二晶格参数的第二半导体层、以及应变半导体层；在所述衬底中的注入有第一导电型杂质的阱；多个隔离层，形成在所述应变半导体层和第二半导体层中，每个隔离层以预定距离彼此分离，由此限定有源区；以及多个穿通停止层，注入有第二导电型的杂质，每个穿通停止层形成在每个隔离层之下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
