[发明专利]硅基光感测元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610103609.7 | 申请日： | 2006-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN1976065A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | 林哲歆;李隆盛;王庆钧 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/08;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王光辉 |
| 地址： | 台湾省新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种制造光感测元件的方法，其包含：制备硅基材；于该硅基材之上形成图案化平台；以及于该图案化平台上形成图案化导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基光感测 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造光感测元件之方法，其特征是包括：制备硅基材；形成图案化平台于该硅基材上；以及形成图案化导电层于该图案化平台上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
