[发明专利]便于光掩模制造中的工艺集成的组合工具和方法无效
申请号: | 200610104046.3 | 申请日: | 2006-07-31 |
公开(公告)号: | CN1904727A | 公开(公告)日: | 2007-01-31 |
发明(设计)人: | 阿杰伊·库马尔 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | G03F1/08 | 分类号: | G03F1/08;G03F1/00;G03F7/00 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 赵飞 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明公开了一种适于光掩模制造中的工艺集成的方法和设备。在一个实施例中,适于光掩模制造中的工艺集成的组合工具包括真空转移室,该真空转移室具有耦合到其上的至少一个硬掩模沉积室和至少一个配置来刻蚀铬的等离子体室。在另一个实施例中,用于光掩模制造中的工艺集成的方法包括:在第一处理室中在衬底上沉积硬掩模;在衬底上沉积光抗蚀剂层;图案化光抗蚀剂层;在第二处理室中通过形成在图案化光抗蚀剂层中的孔隙刻蚀硬掩模;以及在第三处理室中通过形成在硬掩模中的孔隙刻蚀铬层。 | ||
搜索关键词: | 便于 光掩模 制造 中的 工艺 集成 组合 工具 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制造光掩模的方法,包括:将处于处理系统中的衬底转移到第一处理室,所述处理系统具有耦合到具有真空环境的转移室的所述第一处理室、第二处理室和第三处理室,所述衬底包括具有铬层和石英层的膜叠层、硬掩膜层和形成在所述铬层上的图案化光抗蚀剂层;在所述第二处理室中,使用所述图案化光抗蚀剂层作为刻蚀掩模刻蚀硬掩模层;在所述第三处理室中,使用所述图案化硬掩模层作为刻蚀掩模刻蚀所述铬层;以及在所述第三处理室中就地去除所述硬掩模层。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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