[发明专利]大出光孔垂直腔面发射半导体激光器的多芯电注入结构

摘要

大出光孔垂直腔面发射半导体激光器的多芯电注入结构属于半导体激光器件技术领域。现有技术因载流子聚集效应以及趋肤效应，使得注入电流强度以及发光强度不均匀，器件性能和寿命受到影响。本发明之多芯电注入结构位于布拉格反射镜中的高铝层，在环形沟槽及其两侧的氧化物限制区所包围的区域内均匀分布若干个分立电流注入区，这些分立电流注入区由分布于该区域内的多条沟槽及其两侧的氧化物限制区或者多个孔穴及其周围的氧化物限制区所分隔。从而可以在加大出光孔径或者采用短脉冲驱动以提高器件功率时，避免或者弱化上述效应对器件性能和寿命造成的不利影响。本发明可应用于半导体激光器教学、研究和生产领域。

主权项

1、一种大出光孔垂直腔面发射半导体激光器的多芯电注入结构，位于布拉格反射镜中的高铝层，并且处在环形沟槽(1)及其两侧的氧化物限制区(2)所包围的区域内，环形沟槽(1)的底在深度方向上透过所述高铝层，其两侧的氧化物限制区(2)处在所述高铝层层面，其特征在于，在所述区域内均匀分布若干个分立电流注入区；这些分立电流注入区由分布于该区域内的多条沟槽及其两侧的氧化物限制区或者多个孔穴及其周围的氧化物限制区所分隔；沟槽、孔穴的底同环形沟槽(1)的底一样，在深度方向上均透过所述高铝层；沟槽两侧、孔穴周围的氧化物限制区同环形沟槽(1)两侧的氧化物限制区(2)一样，均处在所述高铝层层面；孔穴周围的氧化物限制区彼此相连。