[发明专利]低干扰性的单闸极非易失性存储器及其操作方法

摘要

一种低干扰性的单闸极非易失性存储器及其操作方法，本发明是在半导体基底内嵌晶体管及电容结构，将晶体管中的导电闸极与电容结构中的导电闸极相互电性连接而形成记忆胞的单浮接闸极，且电容结构内的介电层与半导体基底之间，还形成一离子掺杂区埋层的结构以降低外界对电容结构的干扰，并且可控制起始临界电压；此单闸极记忆胞可透过施加逆向偏压以进行写入、抹除及读取等操作，且同时配合隔离井区的操作，可借由施加正负电压于汲极、闸极及硅基底或井区，来产生反层，以降低绝对电压，减少升压电路的面积，并达成降低电流消耗的目的。

主权项

1.一种单闸极的非易失性存储器，其特征在于，包括：一半导体基底；一晶体管，形成于所述半导体基底中，所述晶体管包含：一第一介电层，形成于所述半导体基底表面；一第一导电闸极，形成于所述第一介电层上方；复数第一离子掺杂区，形成于所述第一导电闸极的两侧，分别做为源极及汲极；一电容结构，形成于所述半导体基底中，所述电容结构包含：一第二介电层，形成于所述半导体基底表面；一第二导电闸极，形成于所述第一介电层上方；一第二离子掺杂区埋层，形成于所述第二介电层与所述半导体基底之间；一第二离子掺杂区，形成于所述第二介电层一侧，且所述第一导电闸极与所述第二导电闸极隔离且电连接，做为单浮接闸极。