[发明专利]半导体光电化学电池单元的制造方法及该电池单元有效
| 申请号： | 200610104214.9 | 申请日： | 2006-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN1912171A | 公开（公告）日： | 2007-02-14 |
| 发明（设计）人： | 中川善典;和田精久 | 申请（专利权）人： | 中川善典 |
| 主分类号： | C23C8/10 | 分类号： | C23C8/10;H01L31/18;H01L31/04;H01L31/0224;H01M14/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 苗堃;刘继富 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体光电化学电池单元的制造方法，其是将含有钛或钛合金的基材，在700～1000℃的大气中，以5℃/秒或更高的升温速度进行煅烧，在表面形成氧化钛层，使金属钛混杂于氧化钛层中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 光电 化学 电池 单元 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.半导体光电化学电池单元的制造方法，其特征为，包括如下步骤：将含有钛或钛合金的基材，在700～1000℃的大气中，以5℃/秒或更高的升温速度进行煅烧，在表面形成氧化钛层，使金属钛混杂于所述氧化钛层中。
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