[发明专利]处理腔、平板显示器制造设备、以及利用所述设备的等离子处理方法无效
| 申请号： | 200610104220.4 | 申请日： | 2006-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN1909186A | 公开（公告）日： | 2007-02-07 |
| 发明（设计）人： | 李荣钟;崔浚泳;姜赞镐;李祯彬 | 申请（专利权）人： | 爱德牌工程有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/205;H01L21/3065;H01L21/67;C23C16/00;C23F4/00;H01J37/32;H05H1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王艳江;杨生平 |
| 地址： | 韩国京畿道城南市*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本文公开了一种平板显示器制造设备的处理腔，用于在其内部产生等离子而对至少一个基片进行预定的处理。如此地构造所述处理腔，使得单个大面积的基片在该处理腔内进行处理，而且此外多个小面积的基片在该处理腔内同时地进行处理。依据本发明，能够对单个大面积的基片进行处理，而且此外可以对多个小面积的基片同时地进行处理，而无需特别地改变所述设备的结构。因此，本发明的效果在于：可容易地与各种处理条件相适应、使得平板显示器的生产效率最大化、并且主动地适应市场上所需要的规格。此外，可以一次对多个基片进行处理。因此，本发明的效果在于：极大地减少了处理基片所需要的时间。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 平板 显示器 制造 设备 以及 利用 等离子 方法 | ||
【主权项】：
1.一种平板显示器制造设备的处理腔，该处理腔用于在其内部产生等离子而对至少一个基片进行预定的处理，其中如此地构造所述处理腔，使得单个大面积的基片在该处理腔内进行处理，而且此外多个小面积的基片在该处理腔内同时地进行处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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