[发明专利]存储装置有效
| 申请号： | 200610104295.2 | 申请日： | 2006-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN1979866A | 公开（公告）日： | 2007-06-13 |
| 发明（设计）人： | 李自强 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种存储装置，包括一基底；一第一主动区域，形成于该基底中；一第二主动区域，形成于该基底中，该第一主动区域与该第二主动区域的长轴彼此平行；多个晶体管，设置于该第一主动区域与该第二主动区域之间，使得该第一主动区域与该第二主动区域作为该晶体管的源极/漏极区域使用。本发明通过将储存晶体管置于主动区域之间，使主动区域之间的间距以及存储单元的尺寸得以缩小，因此有利于高密度存储阵列的形成。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种存储装置，其特征在于，该存储装置包括：一基底；一第一主动区域，形成于该基底中；一第二主动区域，形成于该基底中，该第一主动区域与该第二主动区域的长轴彼此平行；以及多个晶体管，设置于该第一主动区域与该第二主动区域之间，使得该第一主动区域与该第二主动区域作为该晶体管的源极/漏极区域使用。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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