[发明专利]磷化镓晶片纳米级超光滑加工工艺无效
| 申请号： | 200610104388.5 | 申请日： | 2006-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN1947944A | 公开（公告）日： | 2007-04-18 |
| 发明（设计）人： | 周海 | 申请（专利权）人： | 周海 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;H01L21/304 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 224003*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及光电子器件的加工方法技术领域，是一种制备蓝色和红色发光二极管(LED)基础材料磷化镓(GaP)晶片的加工工艺。该加工工艺由无蜡粘片、塑性域磨削、研磨、抛光、净化等几个步骤组成，附图1是磷化镓晶片加工工艺流程图；磷化镓晶片是通过水吸附在承片盘上；本发明涉及磷化镓晶片加工过程中使用的专用研磨液、抛光液和清洗液，所述的专用研磨液由：氧化铬微粉、橄榄油、煤油构成；专用抛光液则由重铬酸氨、聚氧乙烯酰胺以及去离子水构成；专用清洗液由：硫酸(H2SO4)、过氧化氢(H2O2)、去离子水(H2O)等构成；当上述加工工艺和专用的研磨液、抛光液和清洗液配合使用时，可以获得无损伤层的、晶格完整的、磷化镓晶体表面，表面粗糙度达到0.5纳米以下，满足制备发光二极管所需的磷化镓晶片表面质量要求，该工艺不仅提高磷化镓晶片的质量，而且大大缩短制备周期，从而节约生产成本，提高生产率。 | ||
| 搜索关键词： | 磷化 晶片 纳米 光滑 加工 工艺 | ||
【主权项】：
1.磷化镓晶片纳米级超光滑加工工艺，其特征在于它由无蜡粘盘、塑性域磨削、微米级研磨、纳米级化学机械抛光、晶片净化等几个关键步骤组成。
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