[发明专利]绕行转移面阵电荷耦合器件CCD

摘要

本发明公开的绕行转移面阵电荷耦合器件CCD，包括P型硅衬底、SiO₂绝缘层，以及在SiO₂绝缘层上排列布置的MOS感光单元铝栅电极，与相数相同个数的MOS感光单元铝栅电极组成一位，构成一个工作单元，工作单元横向周期排列，MOS感光单元铝栅电极之间为沟道，每行MOS感光单元铝栅电极之间由沟阻隔开，根据工作脉冲为几相将面阵分为几个区，每个区的尾端设置有浮置栅输出放大器，各区的浮置栅输出放大器的输出端并接。本发明将现有技术中的光敏区、转移栅区和模拟移位寄存器设计在一起，把三区的功能由一种结构分三个工作阶段分时来完成，达到了精简结构、提高分辨率和探测灵敏度、提高输出速度的目的。

主权项

1.一种绕行转移面阵电荷耦合器件CCD，包括硅衬底、硅衬底上氧化生长的SiO2绝缘层(10)，以及在SiO2绝缘层(10)上排列布置的MOS感光单元铝栅电极(3)，其特征在于，所述的MOS感光单元铝栅电极(3)的排列布置为：与相数相同个数的MOS感光单元铝栅电极(3)组成一位，构成一个工作单元，每个工作单元横向周期排列，MOS感光单元铝栅电极(3)之间为沟道(8)，每行的MOS感光单元铝栅电极(3)之间由沟阻(9)隔开，奇数MOS感光单元铝栅电极(3)行的行尾端与紧接的偶数行的行尾端不进行高掺杂，沟道(8)相通，偶数MOS感光单元铝栅电极(3)行的行始端与紧接的奇数行的行始端不进行高掺杂，沟道(8)相通，根据工作脉冲为几相将整个面阵按MOS感光单元铝栅电极(3)的列向平均分为几个区，每个区的尾端设置有浮置栅输出放大器，各区的浮置栅输出放大器的输出端并接。