[发明专利]在硅表面上制备超疏水性薄膜的方法无效
| 申请号： | 200610105280.8 | 申请日： | 2006-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN101190435A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 刘维民;郭志光 | 申请（专利权）人： | 中国科学院兰州化学物理研究所 |
| 主分类号： | B05D5/00 | 分类号： | B05D5/00;B05D3/02;C09D1/00;C09D5/16 |
| 代理公司： | 兰州中科华西专利代理有限公司 | 代理人： | 方晓佳 |
| 地址： | 730000甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在硅表面上制备超疏水性薄膜的方法。该方法采用溶胶－凝胶法制备出表面微观结构为微米和纳米结构共存在的双层结构，再通过含氟的有机物对其表面进行化学修饰，形成的表面与水的接触角大于150°，水滴在此表面上的滑动角小于10°，具有良好的超疏水性能。它为拓展硅材料在工业生产中的应用提供了一种新的制备途径，该方法操作简单，对设备要求不高，可规模化生产，具有良好的工业应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 表面上 制备 疏水 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在硅表面上制备超疏水性薄膜的方法，其特征在于该方法依次包括以下步骤：A、薄膜制备采用NH4OH溶液、乙醇以及正硅酸乙酯配制成溶胶，用提拉法在洁净的硅片上进行涂膜，并在大气气氛中烘干；B、薄膜的化学修饰制备好的薄膜浸入全氟辛基三氯甲硅烷的正己烷溶液中，4-6小时后取出即可得到超疏水性表面。
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