[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200610105445.1 | 申请日： | 2006-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN1892442A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 柳泽正之 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/16;G03F7/00;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法，包括：(A)提供向其涂敷了光致抗蚀剂(43)的晶片(1)；(B)通过将晶片(1)暴露在穿过具有透明部分(11)的掩模(10)的光线下，在光致抗蚀剂(43)中形成反应部分(44)，所述反应部分(44)是与光线起反应的部分；以及(C)通过溶解反应部分(44)，形成抗蚀剂掩模(45)，它具有与透明部分(11)相对应的开口部分(46)。在(B)过程中的曝光量为第一曝光量的情况下，开口部分(46)没有穿透光致抗蚀剂(43)。另一方面，在曝光量为大于第一曝光量的第二曝光量的情况下，开口部分(46)穿透光致抗蚀剂(43)。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造半导体器件的方法，包括：(A)提供向其涂敷了光致抗蚀剂的晶片；(B)通过将晶片暴露在穿过具有透明部分的掩模的光线下，在光致抗蚀剂中形成反应部分，所述反应部分是与所述光线起反应的部分；以及(C)通过溶解所述反应部分，形成抗蚀剂掩模，所述抗蚀剂掩模具有与所述透明部分相对应的开口部分，其中，在所述(B)过程中的曝光量为第一曝光量的情况下，所述开口部分(46)没有穿透所述光致抗蚀剂，而在所述曝光量为大于所述第一曝光量的第二曝光量的情况下，所述开口部分穿透所述光致抗蚀剂。
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