[发明专利]远等离子体室清理中的自由基引发剂

摘要

本发明涉及在远等离子体清理CVD加工室和设备以除去此类沉积加工室和设备的壁、表面等上形成的不需要的沉积副产物中的改进。该远清理方法中的改进在于在用于产生所述等离子体的远等离子体发生器的下游提供自由基引发剂，所述自由基引发剂能在所述等离子体存在下形成自由基。

主权项

1.一种用于远等离子体清理CVD加工室以除去此类加工沉积室的壁和表面上形成的不需要的沉积副产物的方法，其包括以下步骤：将反应物装入等离子体发生器，所述等离子体发生器位于所述CVD加工室的上游；在所述等离子体发生器中由所述反应物形成由自由基组成的等离子体，所述等离子体能与所述不需要的沉积产物反应并由此形成挥发性物质；提供能形成自由基的自由基引发剂；在进行与所述不需要的残留物反应且产生挥发性物质的条件下，将所述等离子体和所述自由基引发剂递送至所述CVD加工室；以及从所述CVD加工室除去所述挥发性物质。