[发明专利]IGBT用硅晶片及其制备方法有效
| 申请号： | 200610105541.6 | 申请日： | 2006-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN1881547A | 公开（公告）日： | 2006-12-20 |
| 发明（设计）人： | 梅野繁;大浦康浩;加藤浩二 | 申请（专利权）人： | 株式会社上睦可 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/20;H01L29/739;H01L29/02;C30B15/00;C30B33/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 孙秀武;邹雪梅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种IGBT用硅晶片的制造方法，通过直拉法形成晶格间的氧浓度为7.0×1017原子/cm3或以下的硅锭，对该硅锭照射中子束掺杂磷后，切取晶片，在至少含有氧的氛围气中、在满足指定的式子的温度下，对该晶片进行氧化氛围气退火处理，并在前述晶片的一面侧上具有多晶硅层或应变层。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 晶片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种IGBT用硅晶片的制造方法，其特征在于通过直拉法形成晶格间的氧浓度[Oi]为7.0×1017原子/cm3或以下的硅锭，对前述硅锭照射中子束，掺杂磷后，切取晶片，在至少含有氧的氛围气中、在满足下式(1)的温度T(℃)下，对该晶片进行氧化氛围气退火处理，并在前述晶片的一面侧上形成多晶硅层或应变层，[Oi]≤2.123×1021exp(-1.035/k(T+273)) (1)其中，[Oi]是根据ASTM F-121(1979)规定的傅立叶变换红外分光光度法的测定值，k是波尔兹曼常数(8.617×10-5(eV/K))。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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