[发明专利]双栅极晶体管无效
| 申请号： | 200610105606.7 | 申请日： | 2006-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN1885563A | 公开（公告）日： | 2006-12-27 |
| 发明（设计）人： | 梁中瑜;甘丰源;张鼎张 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种双栅极晶体管，包括第一栅极，形成于基板上。第一介电层，覆盖于第一栅极与基板上。半导体层，位于第一介电层与第一栅极上方。第一电极与第二电极，分别形成于半导体层上，且第一电极与第二电极之间，具有间隔，用以分离两电极。第二介电层，覆盖于第一电极、第二电极与部份的半导体层。第二栅极，位于第二介电层上，其中第二栅极及第一栅极的其中之一并未与第二电极重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种双栅极晶体管，包括：第一栅极，位于基板上；第一介电层，覆盖于该第一栅极与该基板上；半导体层，位于该第一介电层与该第一栅极上；第一电极与第二电极，分别位于该半导体层上，且该第二电极与该第一电极之间具有间隔，用以互相分离；第二介电层，覆盖于该第一电极、该第二电极、与部份半导体层；及第二栅极，位于该第二介电层上，其中该第二栅极及该第一栅极的其中之一并未与该第二电极重叠。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司，未经友达光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610105606.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
