[发明专利]变容二极管

摘要

在LC谐振电路中使用以阴极共用方式在一个封装内内置了两个变容二极管的元件时，由于成为直流式高电平的点和成为高频式高电平的点有所不同，所以需要用于隔直的电容器和高阻抗的偏置电阻，不能推进衬底安装面积的减少，不能实现装置的成本降低。本发明在将阴极共用的两个变容二极管的阳极端子之间连接高阻抗的电阻，将其密封在一个封装内。电阻在变容二极管的p^－区域间由扩散区域形成，或者可用多晶硅配置在芯片上，所以可以原样维持变容二极管的芯片尺寸而内置电阻。由此，不需要另外设置高阻抗的偏置电阻，可以实现衬底安装面积的减少和装置的成本降低。

主权项

1、一种变容二极管，其特征在于，包括：两个变容二极管，具有阳极端子和阴极端子，并将该阴极端子之间共用连接；电阻，被连接在两个所述阳极端子间并具有高阻抗；以及三个外部端子，由所述共用连接的阴极端子和各个阳极端子构成。