[发明专利]电声变换元件有效
| 申请号： | 200610105747.9 | 申请日： | 2006-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN1929699A | 公开（公告）日： | 2007-03-14 |
| 发明（设计）人： | 东隆;梅村晋一郎;永田达也;福田宏;町田俊太郎;峰利之 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H04R17/00 | 分类号： | H04R17/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 岳耀锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种电声变换元件，其特征在于，具有：在基板或者基板中形成的第一电极；以在上述基板上设置的硅或者硅化合物为基体材料的薄膜；在上述薄膜上或者薄膜中形成的第二电极；在上述第一电极和上述第二电极间设置的空隙层；将由上述第一电极和上述第二电极赋予的电荷蓄积的、在上述第一电极和上述第二电极间设置的电荷蓄积层；以及用来测量在上述电荷蓄积层中蓄积的电荷量的源电极和漏电极。由此可以减小半导体振膜型电声变换元件中因泄漏等引起的电荷蓄积量和电声变换效率的变化，防止以该电声变换元件为基本单位构成的超声波阵列变换器的主束灵敏度的漂移和声音SN比与超声波束指向性的劣化。 | ||
| 搜索关键词： | 电声 变换 元件 | ||
【主权项】：
1.一种电声变换元件，其特征在于，具有：以硅或者硅化合物为基体材料的基板；在上述基板上或者基板中形成的第一电极；在上述基板上设置的、以硅或者硅化合物为基体材料的薄膜；在上述薄膜上或者薄膜中形成的第二电极；在上述第一电极和上述第二电极间设置的空隙层；将由上述第一电极和上述第二电极赋予的电荷蓄积的、在上述第一电极和上述第二电极间设置的电荷蓄积层；以及用来测量在上述电荷蓄积层中蓄积的电荷量的源电极和漏电极。
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