[发明专利]半导体结构、电熔线及其形成方法有效
| 申请号： | 200610105783.5 | 申请日： | 2006-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN1992255A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 陈学忠;蔡豪益;陈宪伟;郑心圃;侯上勇 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/525;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构、电熔线及其形成方法，该半导体结构包括介电层，位于浅沟槽隔离区上，以及接触栓塞，由该介电层表面延伸到该浅沟槽隔离区，其中该接触栓塞包括中间区，该中间区实质上比两个末端区狭窄。该接触栓塞形成熔线组件，该半导体结构还包括两个金属线位于在该介电层上，其中两个金属线分别连接到该接触栓塞不同的末端区。本发明的熔线元件及其连接的金属线为金属对金属的接触，其可改善接触并减少接触阻抗，在接触区域较少发生烧坏现象，所以程序化电压及程序化时间较易控制；本发明的半导体结构可随着集成电路尺寸及操作电压的减小而缩小，并且完全与现行的集成电路工艺兼容，在本发明中可使用与其它半导体元件相同的掩膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 电熔线 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包含：浅沟槽隔离区；第一介电层，位于该浅沟槽隔离区上；接触栓塞，由该第一介电层表面延伸到该浅沟槽隔离区，其中该接触栓塞包括中间区以及两个末端区，该中间区实质上比该两个末端区狭窄；以及两个金属线，位于第二介电层中，该第二介电层位于该第一介电层上，其中该两个金属线分别连接到该接触栓塞的两个末端区。
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