[发明专利]集成电路的制造方法、金属－绝缘层－金属电容形成方法有效
| 申请号： | 200610105784.X | 申请日： | 2006-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN101030552A | 公开（公告）日： | 2007-09-05 |
| 发明（设计）人： | 洪显仁;侯国南;赖峰良 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L27/02 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 潘培坤 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种形成金属－绝缘层－金属电容的方法，该方法包括下述步骤：在基底上形成电容下板与金属内联结构。之后，形成具有预定厚度的介电层，该介电层包含位于该电容下板上方的第一部分以及位于该金属内联结构上方的第二部分。接着，调整该介电层的第一部分与第二部分的相对厚度。调整该介电层的第一部分与第二部分相对厚度的方法包括：蚀刻该介电层的第一部分或添加介电材料至该介电层的第二部分上。最后，在该介电层的第一部分上形成电容上板，以制作完成该金属－绝缘层－金属电容结构。本发明的方法减少了额外的光罩步骤，并且简单、成本降低。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 制造 方法 金属 绝缘 电容 形成 | ||
【主权项】：
1.一种形成金属-绝缘层-金属电容的方法，该方法包括下述步骤：在基底上形成电容下板与金属内联结构；形成具有预定厚度的介电层，其包含位于该电容下板上方的第一部分以及位于该金属内联结构上方的第二部分；调整该介电层的第一部分与第二部分的相对厚度；以及在该介电层的第一部分上形成电容上板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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