[发明专利]场致发光装置、场致发光装置的制造方法和电子仪器有效
| 申请号： | 200610105833.X | 申请日： | 2006-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN1897252A | 公开（公告）日： | 2007-01-17 |
| 发明（设计）人： | 前田强;松本友孝 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L27/32;H05B33/26;H05B33/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种场致发光装置的制造方法，其中：在基板上形成多个像素形成区域；在所述多个像素形成区域每一个上分别设置层叠透光性的阳极、至少包含发光层的发光功能层、阴极的发光元件；所述像素形成区域至少包含第一色的像素形成区域、与所述第一色不同的第二色的像素形成区域；所述阳极包含在所述第一色的像素形成区域以第一厚度形成的第一阳极、在所述第二色的像素形成区域以第二厚度形成的第二阳极；该制造方法包含：在所述第一色的像素形成区域形成从所述第一厚度减去所述第二厚度的厚度的第一透明导电膜的第一步骤；在所述第一色的像素形成区域和所述第二色的像素形成区域形成所述第二厚度的第二透明导电膜的第二步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 装置 制造 方法 电子仪器 | ||
【主权项】：
1.一种场致发光装置的制造方法，在基板上形成多个像素形成区域；在所述多个像素形成区域的每一个上分别设置层叠了透光性的阳极、至少包含发光层的发光功能层以及阴极的发光元件；所述像素形成区域至少包含第一色的像素形成区域、与所述第一色不同的第二色的像素形成区域；所述阳极包含：在所述第一色的像素形成区域以第一厚度形成的第一阳极、和在所述第二色的像素形成区域以第二厚度形成的第二阳极；所述制造方法包含：在所述第一色的像素形成区域形成从所述第一厚度中减去所述第二厚度的厚度的第一透明导电膜的第一步骤；在所述第一色的像素形成区域和所述第二色的像素形成区域形成所述第二厚度的第二透明导电膜的第二步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
