[发明专利]材料层与电容器和半导体存储器及其制造方法无效
| 申请号： | 200610105892.7 | 申请日： | 2006-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN1909194A | 公开（公告）日： | 2007-02-07 |
| 发明（设计）人： | 具俊谟;徐范锡;朴永洙;李正贤;申尚旻;金锡必 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/02;H01L21/82;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了能够增加贵金属层在铁电层上的沉积速率的制造材料层的方法、使用该材料层的铁电电容器的制造方法、通过该方法制造的铁电电容器、以及具有该铁电电容器的半导体存储器及其制造方法。根据制造材料层的方法，形成了铁电电容器。之后，将铁电层暴露于籽等离子体，包括籽等离子体的源材料的材料层形成在铁电层暴露于籽等离子体的区域上。 | ||
| 搜索关键词： | 材料 电容器 半导体 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造材料层的方法，所述方法包括：形成铁电层；将所述铁电层暴露于籽等离子体；以及在暴露于所述籽等离子体的铁电层的区域上，形成包括所述籽等离子体的源材料的材料层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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