[发明专利]电容器件、有机电介质叠层、含此类器件的多层结构及其制造方法无效
申请号: | 200610105897.X | 申请日: | 2006-07-11 |
公开(公告)号: | CN1937174A | 公开(公告)日: | 2007-03-28 |
发明(设计)人: | S·班纳吉;G·S·考克斯;K·H·迪茨 | 申请(专利权)人: | E.I.内穆尔杜邦公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 徐迅 |
地址: | 美国特*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及形成多层结构的方法及这些结构本身。在一个实施方式中,一种形成多层结构的方法包括:提供含有顺电填充料和聚合物的电介质组合物,其中,所述顺电填充料的介电常数在50到150之间;将所述电介质组合物施加于载体薄膜,从而形成包含介电层和载体薄膜层的多层薄膜;将所述多层薄膜层叠至线路芯,其中,所述多层薄膜的介电层面向所述线路芯;在加工前从所述介电层除去所述载体薄膜层;将一金属层施加于所述介电层,其中,所述线路芯、介电层和金属层形成平面电容器;以及对所述平面电容器进行加工以形成多层结构。 | ||
搜索关键词: | 电容 器件 有机 电介质 多层 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种形成多层结构的方法,所述方法包括:提供含有顺电填充料和聚合物的电介质组合物,其中,所述顺电填充料的介电常数在50到150之间;将所述电介质组合物施涂于一载体薄膜,从而形成包含介电层和载体薄膜层的多层薄膜;将所述多层薄膜层叠至一线路芯,其中,所述多层薄膜的介电层面向所述线路芯;以及在加工前将所述载体薄膜层从所述介电层除去;向所述介电层镀覆一金属层,其中,所述线路芯、介电层和金属层形成平面电容器;以及对所述平面电容器进行加工以形成一多层结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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