[发明专利]产生辐射的半导体芯片有效
| 申请号： | 200610105929.6 | 申请日： | 2001-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN1913185A | 公开（公告）日： | 2007-02-14 |
| 发明（设计）人： | D·埃泽尔特;V·海勒;U·施特劳斯;U·策恩德尔 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 赵辛 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体芯片(10)。为了提高光输出，活性层(3)通过切口(11)切断。这样，从产生光的一个点(6)看去，活性层(3)的侧面(9)便暴露在一个大的空间角下并缩短了活性层(3)内的光程。 | ||
| 搜索关键词： | 产生 辐射 半导体 芯片 | ||
【主权项】：
1.产生辐射的半导体芯片，包括一个具有一主面的衬底(2)和一个布置在衬底(2)的主面上的层序列，该层序列包括一层辐射的活性层(3)，其特征为，活性层(3)被分成许多区段(12，18)，它们具有垂直于活性层(3)延伸的侧面(7，8，13)。
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