[发明专利]具有变磁性反铁磁耦合层的垂直磁记录介质无效
| 申请号： | 200610105958.2 | 申请日： | 2006-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN1909070A | 公开（公告）日： | 2007-02-07 |
| 发明（设计）人： | 安德烈亚斯·K·伯格;埃里克·E·富勒顿;奥拉夫·赫德维格 | 申请（专利权）人： | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66;G11B5/667;G11B5/673;G11B5/70;C22C19/07 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明提供一种垂直磁记录介质，其包括记录层(RL)和软导磁衬层(SUL)之间的“变磁性”反铁磁耦合(AFC)层。该变磁性AFC层在没有磁场时实质上没有净磁矩，但存在高于阈值场的磁场时为高度铁磁性。因此，读期间变磁性AFC层对读回信号没有贡献，但在写期间将写场引导至SUL，因为阈值场选择为低于写场。交换中断层EBL位于变磁性AFC层与RL之间。变磁性AFC层包括具有适于作为EBL和RL的生长模板的晶体结构的膜，因此变磁性AFC层还充当部分“有效EBL”，由此允许实际EBL制得尽可能薄。 | ||
| 搜索关键词： | 有变 磁性 反铁磁 耦合 垂直 记录 介质 | ||
【主权项】：
1.一种垂直磁记录介质，包括：衬底；所述衬底上导磁材料的衬层；所述衬层上具有垂直磁各向异性的垂直磁记录层；反铁磁耦合(AFC)层，其位于所述衬层与所述记录层之间并具有垂直磁各向异性且没有外加磁场时基本没有净磁矩，所述AFC层包括至少一对交替的第一和第二膜的第一多层、至少一对交替的第一和第二膜的第二多层、以及所述第一和第二多层之间的非磁反铁磁耦合层；以及交换中断层，其位于所述AFC层与所述记录层之间用于将所述记录层和所述AFC层磁去耦。
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