[发明专利]氮化镓单晶的生长方法,氮化镓单晶基板及其制造方法无效
| 申请号： | 200610105961.4 | 申请日： | 2000-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN1908251A | 公开（公告）日： | 2007-02-07 |
| 发明（设计）人： | 元木健作;冈久拓司;松本直树 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/40;C30B29/38 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 封新琴;张平元 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种制造106cm－2以下低错位GaN单结晶的方法，其特征是气相成长的成长表面不是平面状态，形成具有三维的小面结构，保持小面结构，通过在不埋没小面结构下进行成长，可降低错位，进行单晶体氮化镓的结晶成长。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 镓单晶 生长 方法 镓单晶基板 及其 制造 | ||
【主权项】：
1.一种单晶体GaN的生长方法，特征是，在生长过程中一边改变凹坑的复合体的大小一边进行生长，所述凹坑的复合体具有三维的小面结构，且具有凹坑或小面。
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