[发明专利]存储器结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200610106114.X | 申请日： | 2006-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN1917216A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | 吴昭谊 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 韩宏 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及结合嵌入式闪速存储器及物理可编程只读存储器的存储器结构。其中该物理可编程只读存储器可作为一个存储器结构。而闪速存储器则可作为错误更新单元、备份存储器或额外的存储器单元。该物理可编程只读存储器单元则堆叠于该闪速存储器上方，并以三维的物理可编程只读存储器结构增加物理可编程只读存储器的密度。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种存储器结构，包括：一个物理可编程只读存储器单元层，包括多个多晶硅二极管单元；以及一个闪速存储器单元层，该物理可编程只读存储器单元层位于该闪速存储器单元层上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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